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Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)

双束聚焦离子束是一种多用途的分析技术,可以用于样品定位切割并将隐藏在各种基底材料中的缺陷揭露出来。最常见的用途之一就是制备TEM样品。双束FIB可以通过切断/连接芯片线路来进行芯片线路修改。

优势 局限

- 横截面缺陷
- TEM快速样品制备
- 线路修改
- 借助EDX配件进行元素定量分析

- 晶片尺寸需要小于150mm
- 瀑布效应有时会给分析造成不便



L型横截面分析


锡须生长机理分析


FIB透射电镜样品制备


更多信息: http://en.wikipedia.org/wiki/Focused_ion_beam