
测试服务
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温度冲击试验TS
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高温寿命试验HTOL
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高加速寿命测试HAST
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器件DPA
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植球Balling
去层Delayer
- 分类:测试服务
- 发布时间:2022-05-18 11:00:51
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概要:
详情
1、项目介绍:
研磨减薄封装的厚度,或整片减薄;去层减薄封装背面,正装打线芯片背面研磨露出芯片衬底,去层减薄封装正面,倒装bump芯片正面研磨露出芯片衬底。
2、应用优势:
可减薄到大致深度,后续可利用FIB或者PFIB切,减少FIB切片时间,比激光开封后的表面更加平整。减薄后露出衬底做EMMI、OBIRCH分析;正面减薄露出金线可以扎针,确定open位置在芯片还是封装。
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