测试服务
全部分类
-
开封Decap
-
去层Delayer
-
高分辨率显微镜X-Ray
-
时域反射仪TDR
-
增强型热成像Thermal
-
双束聚焦离子束FIB
-
等离子聚焦离子束PFIB
-
微光显微镜EMMI
-
激光故障定位法OBIRCH
-
纳米探针Nano Probe
-
EBIC/EBAC
-
上机观察SEM
-
透射电子显微镜TEM
-
能量色散X射线光谱仪EDX
-
原力电子显微镜AFM
-
芯片线路修改/FIB CKT 线路修补 (低阶)、(高阶)
-
飞行时间二次离子质谱仪TOF-SIMS
-
磁质谱仪D-SIMS
-
俄歇电子能谱AES
-
X射线光电子能谱(XPS)
-
傅里叶变换红外光谱仪FTIR
-
原子力显微镜AFM
-
静电ESD
-
打线WireBond
-
扩展电阻测试SRP
-
温度循环实验TC
-
温度冲击试验TS
-
高温寿命试验HTOL
-
高加速寿命测试HAST
-
器件DPA
-
植球Balling
扩展电阻测试SRP
- 分类:测试服务
- 发布时间:2022-05-18 17:09:21
- 访问量:0
概要:
详情
1、项目介绍:
SRP(Spreading resistance profile)扩散电阻分析是一种用于分析半导体中电阻率与深度关系的技术。半导体设备依靠载流子(电子或者空穴)在其结构中的分布来提供所需的性能。载流子的浓度(可以有十个数量级的变化)可以从SRP所提供的电阻率曲线中推断出来。
扩散电阻分布是一种以较高分辨率测试半导体材料扩散电阻、电阻率、载流子浓度分布等电学参数的方法,属于一种实验比较的方法,该方法的步骤是先测量一系列点接触的扩展电阻(Rs是导电金属探针与硅片上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比),再用校准曲线来确定被测样品在探针接触点附近的电阻率,进而换算成系列测试点所对应的的载流子浓度。
为了提升空间分辨率,同时根据目标测量深度不同,可以将样品截面方向磨成一系列的角度,将硅片磨角后可以测量分辨深度方向5 nm以内电阻率的变化。
2、测试须知:
(1)确定材料种类:Si、InP、GaAs、SiC等
(2)确定掺杂类型:n或p型
(3)确定晶向类型:正面所对应的晶向,对于Si<001>、<111>
(4)掺杂浓度范围:设备测试范围1E11~1E21cm-3
(5)定位测试位置:磨片后在开始位置做好标记,借助光学显微镜或则SEM进行定位
(6)确定芯片结构:芯片结构深度和内部最小特征决定于选择磨角角度
(7)注意事项:测试芯片SRP要求金属层去除,防止在磨样过程中污染截面
3、技术优势:
扩展电阻法能够测试Si、InP、GaAs、SiC等外延、扩散、注入工艺中载流子浓度空间分布情况,成为半导体材料制备及工艺生产中比较重要的测试手段之一。
扫二维码用手机看