嘉宾介绍 | 李爱国

分类：胜科新闻
作者：胜科纳米
来源：
发布时间：2023-02-13
访问量：0

【概要描述】“第五届纳博会分析测试应用论坛”以国际领先甚至独一无二的分析仪器为基础，依托科研人员独创性的分析方法与对仪器、产品、材料及工艺的深刻理解，为工业界解决实际生产过程中迫在眉睫或悬而未决的问题，进行技术和案例的分享与研讨。

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嘉宾介绍 | 李爱国

分类：胜科新闻
作者：胜科纳米
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发布时间：2023-02-13
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半导体和新材料方面的检测处于检测分析行业金字塔的最顶端。针对国内半导体与新材料分析检测领域的现状与需求，胜科纳米（苏州）股份有限公司联合中国半导体行业协会MEMS分会、苏州纳米科技发展有限公司，于2018年第九届纳博会开始，同期举办“纳博会分析测试应用论坛”，截止目前已成功举办四届。自举办以来，“纳博会分析测试应用论坛”得到了ThermoFisher、Bruker、牛津仪器、Leica、日立、Zeiss、Tescan、PHI、EDAX、 YXLON、Picosun等公司的大力支持，每年吸引了500余名纳米新材料与半导体领域的专业人士参会，现场反响热烈。

现组委会召集举办“第五届纳博会分析测试应用论坛”，论坛以国际领先甚至独一无二的分析仪器为基础，依托科研人员独创性的分析方法与对仪器、产品、材料及工艺的深刻理解，为工业界解决实际生产过程中迫在眉睫或悬而未决的问题，进行技术和案例的分享与研讨。

嘉宾简介：

李爱国，上海光源副主任，博士生导师，上海光源成像与工业应用研究部主任，国家重大工程“上海光源线站工程”的成像分总体负责人，上海光源BL15U微聚焦线站负责人。从事同步辐射硬X射线微纳实验技术发展和应用研究工作，担任科技部重点研发计划项目负责人，发表论文近100篇。

演讲题目: 集成电路器件同步辐射无损表征方法

演讲摘要：随着集成电路器件结构从2D转向3D结构转变，工艺流程不成熟带来的缺陷和应变会引起器件力学和电学性能的失效，传统的破坏性分析手段往往难以真实还原出真实情况，则需要纳米级无损分析方法进行表征。近些年，同步辐射表征技术的不断发展，使得集成电路内部结构的无损表征成为可能。这里我们将介绍几种同步辐射表征技术发展，包括：高分辨层叠相干衍射成像、布拉格层叠相干衍射成像、快速纳米CT全场成像以及关键尺寸小角X射线散射等表征技术，可以无损表征和可视化集成电路器件的内部结构及缺陷，进而解析器件结构与其性能之间的关系。

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