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金属TO封装激光器的制样与失效定位技术
- 分类：胜科新闻
- 作者：
- 来源：
- 发布时间：2024-11-08
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【概要描述】 金属TO封装激光器的制样与失效定位技术涉及多个关键环节和复杂过程。通过精确控制制样过程中的各项参数和采用先进的失效定位技术，可以确保激光器的质量和可靠性，满足各种应用场景的需求。本文主要针对这两个方面进行简单的介绍：
金属TO封装激光器的制样与失效定位技术
【概要描述】 金属TO封装激光器的制样与失效定位技术涉及多个关键环节和复杂过程。通过精确控制制样过程中的各项参数和采用先进的失效定位技术，可以确保激光器的质量和可靠性，满足各种应用场景的需求。本文主要针对这两个方面进行简单的介绍：
- 分类：胜科新闻
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金属TO封装激光器的制样与失效定位技术涉及多个关键环节和复杂过程。通过精确控制制样过程中的各项参数和采用先进的失效定位技术，可以确保激光器的质量和可靠性，满足各种应用场景的需求。本文主要针对这两个方面进行简单的介绍：
一、金属TO封装光器件结构介绍
图1.TO光器件结构图
二、制样技术介绍
1、 第一步：金相研磨
图2.金相研磨机
2、第二步：选择耗材，样品修整
图3.研磨耗材及样品调整图
3、第三步：耗材选择，backside制备
图4.研磨耗材样品制备图
4、第四步：取样
图5.样品取样图
三、失效定位分析技术介绍
图6.EL测试的基本原理图
四、设备功能介绍
铟镓砷微光显微镜InGaAs的介绍：
侦测的波长范围（800nm-1600nm），当半导体组件有过量的电子-电洞产生时，会因电子-电洞对销而产生光子，此可被EMMI显微镜侦测到。
设备可以适用于以下异常的侦测：
（1）会产生亮点的缺陷- 漏电结（Junction Leakage）
（2）接触毛刺（Contact spiking）
（3）Hot electrons（热电子效应）
（4）闩锁效应（Latch-Up）
（5）氧化层漏电（Gate oxide defects / Leakage(F-N current）
（6）多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）
（7）衬底损伤（Substrate damage）
（8）（物理损伤）Mechanical damage等。
图7.铟镓砷微光显微镜InGaAs
五、分析案例
如下图所示：激光器出现了漏电失效；无损分析未发现明显的缺陷；对样品开封及电测后（图1），电性未发生改变；对样品金相冷镶嵌，金相backside制备（图2），并金相EL定位，找到怀疑异常位置后（图3），将芯片取出进行后续的物理表征（图4）。
图8.分析案例图
胜科纳米：
胜科纳米主要从事半导体第三方检测分析服务，致力于打造专业高效的一站式检测分析平台，为半导体产业链客户提供失效分析、材料分析、可靠性分析等检测分析服务。公司通过专业精准的检测分析服务，判断客户产品设计或工艺中的缺陷，助力客户提升产品良率与性能，成为半导体领域研发制造和品质监控的关键技术支撑平台，承担辅助客户研发的重要角色。凭借多元化的检测分析项目与专业精准的诊断能力，公司被形象地喻为“芯片全科医院”。
公司搭建了开放式的专业分析平台，拥有世界一流的先进仪器，例如 CT/C-SAM、NanoProbe、Thermal / EMMI / OBIRCH、HR-TEM、FIB、SEM、 Decap、Delayer、HTOL/HAST/TC/TS/THB、ESD、D-SIMS、TOF- SIMS、XPS/ESCA、AFM 等，7 天 24 小时运作提供服务
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