又传捷报！胜科纳米6篇学术论文入选2025IEEE集成电路物理和失效分析国际研讨会

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发布时间：2025-07-04
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【概要描述】第32届IEEE集成电路物理和失效分析国际研讨会 (IPFA 2025) 将于2025 年8月5日至8日在马来西亚槟城举行。胜科纳米6篇学术论文获大会录用，将在会议期间进行口头演讲或墙展报告，入选数量创企业历史新高。

又传捷报！胜科纳米6篇学术论文入选2025IEEE集成电路物理和失效分析国际研讨会

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第32届IEEE集成电路物理和失效分析国际研讨会 (IPFA 2025) 将于2025 年8月5日至8日在马来西亚槟城举行。胜科纳米6篇学术论文获大会录用，将在会议期间进行口头演讲或墙展报告，入选数量创企业历史新高。

关于IPFA

IPFA (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits) 是全球有关半导体物理分析、失效分析及可靠性方面学术水平最高、规模最大、影响力最广的国际会议之一。每年汇聚全球顶尖学者、工程师和产业专家，共同探讨最前沿的技术挑战与解决方案。

作为行业知名的半导体第三方检测分析实验室，胜科纳米连续多年参与IPFA国际研讨会并发表学术成果。本次入选的6篇论文是公司研发团队在半导体芯片分析检测技术领域持续投入的成果结晶，研究内容覆盖了失效分析（FA）、材料分析（MA）、可靠性分析（RA）等大会关注的关键领域。入选论文信息如下：

1. Younan Hua, Lei Zhu, Ke Xu, Lois Jinzhi Liao and Xiaomin Li, Combined Application of XPS and TOF-SIMS in Quantitative Analysis of Trace Elements Boron and Phosphorus. Paper ID: 10.

2. Lois Jinzhi Liao, Xi Zhang, Lei Zhu, Younan Hua and Xiaomin Li, Application of D2O isotope tracing technique for SOC package failure analysis. Paper ID: 8.

3. Lei Zhu, Penny Long, Ke Xu, Eric Lau, Younan Hua, Yanfei Zhao and Xiaomin Li, Study of Non-Stick on Leadframe Failures by TOF-SIMS Analysis. Paper ID: 14.

4. Yanfei Zhao, Qingrui Jiao, Tuanqiao Hu, Zhiyuan Wang, Lei Zhu, Xiaomin Li, Abnormal Oxygen Failure Analysis on a trilayer Au/Pd/Ni surface finish. Paper ID: 48.

5. Hui Yang, Lingxiao Liu, Jinhua Huang, Ling Yang, Zixuan Li, Younan Hua and Xiaomin Li, Case Study on the Failure Analysis of Transistors under Various Gate Voltage Biases. Paper ID: 73.

6. Derrick Tan, Binghai Liu , Hsieh Chia Lun, Chey Ka Man, Cambridge Kon Tua Voon, Xiaomin Li, Enhancing EBSD Analysis Accuracy for Materials with Similar Crystal Structures via ChI-Scan and T-EBSD_ Application to Semiconductor Failure Analysis. Paper ID: 28

自成立伊始，胜科纳米便将技术创新视为立身之本和发展引擎。凭借持续地研发投入，多元化的检测分析项目与专业精准的诊断能力，被业界形象的喻为 “芯片全科医院”。此次入选IPFA的6项前沿研究成果将直接赋能于实验室平台，助力客户突破芯片研发瓶颈，加速技术迭代进程。

会议期间，胜科纳米专家团队将与全球顶尖专家就半导体失效机理、材料界面特性及可靠性提升方案展开深度对话与经验共享。期待与您在槟城相会！

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