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胜科纳米6项学术成果亮相IPFA 2025
- 分类：胜科新闻
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- 来源：
- 发布时间：2025-08-20
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【概要描述】会议期间，胜科纳米朱雷博士汇报了《Enhancing EBSD Analysis Accuracy for Materials with Similar Crystal Structures via ChI-Scan and T-EBSD: Application to Semiconductor Failure Analysis》，介绍了胜科纳米团队在电子背散射衍射（EBSD）技术上的创新成果，通过创新性地结合ChI-Scan与T-EBSD技术，有效解决了半导体失效分析中相似晶体结构的分析难题，为先进封装工艺的可靠性评估和失效分析提供了应用解决方案。
胜科纳米6项学术成果亮相IPFA 2025
【概要描述】会议期间，胜科纳米朱雷博士汇报了《Enhancing EBSD Analysis Accuracy for Materials with Similar Crystal Structures via ChI-Scan and T-EBSD: Application to Semiconductor Failure Analysis》，介绍了胜科纳米团队在电子背散射衍射（EBSD）技术上的创新成果，通过创新性地结合ChI-Scan与T-EBSD技术，有效解决了半导体失效分析中相似晶体结构的分析难题，为先进封装工艺的可靠性评估和失效分析提供了应用解决方案。
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2025年8月5-7日，全球半导体失效分析领域顶级学术会议IPFA 2025在马来西亚召开，本届大会规模创历史新高，吸引了来自美国、日本、德国、中国等全球多个国家和地区的顶尖机构参展。胜科纳米团队提交的6篇学术论文全部获大会收录。
关于IPFA
IPFA (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits) 是全球有关半导体物理分析、失效分析及可靠性方面学术水平最高、规模最大、影响力最广的国际会议之一。每年汇聚全球顶尖学者、工程师和产业专家，共同探讨最前沿的技术挑战与解决方案。
会议期间，胜科纳米朱雷博士汇报了《Enhancing EBSD Analysis Accuracy for Materials with Similar Crystal Structures via ChI-Scan and T-EBSD: Application to Semiconductor Failure Analysis》，介绍了胜科纳米团队在电子背散射衍射（EBSD）技术上的创新成果，通过创新性地结合ChI-Scan与T-EBSD技术，有效解决了半导体失效分析中相似晶体结构的分析难题，为先进封装工艺的可靠性评估和失效分析提供了应用解决方案。
值得一提的是大会主席Dr. Ng Chi Yung (Intel MYS) 专程到访胜科纳米展位，与团队就公司发展近况进行交流。
展位现场
同期，大会揭晓了最佳失效分析论文、最佳可靠性论文、大会特邀嘉宾论文等权威奖项并举办蔡司之夜等活动，为本次技术盛宴再添注脚，胜科纳米团队也积极参与其中。
获奖论文及参会企业名单
学深研微，产技共进。胜科纳米将以此为契机，继续加强与国际学术界及产业伙伴的交流与合作，助力半导体分析检测技术升级。
胜科纳米6篇IPFA 2025论文题目为：
1.Combined Application of XPS and TOF-SIMS in Quantitative Analysis of Trace Elements Boron and Phosphorus. Paper ID: 10.
2.Application of D2O isotope tracing technique for SOC package failure analysis. Paper ID: 8.
3.Study of Non-Stick on Leadframe Failures by TOF-SIMS Analysis. Paper ID: 14.
4.Abnormal Oxygen Failure Analysis on a trilayer Au/Pd/Ni surface finish. Paper ID: 48.
5.Case Study on the Failure Analysis of Transistors under Various Gate Voltage Biases. Paper ID: 73.
6.Enhancing EBSD Analysis Accuracy for Materials with Similar Crystal Structures via ChI-Scan and T-EBSD_ Application to Semiconductor Failure Analysis. Paper ID: 28.
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