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胜科纳米亮相ICCAD展会，纳米探针NP技术分享成会场焦点
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- 发布时间：2024-12-17
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【概要描述】2024年12月11日-12月12日，备受瞩目的上海集成电路2024年度产业发展论坛暨（第三十届）中国集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo 2024）在上海世博展览馆成功举办。
胜科纳米亮相ICCAD展会，纳米探针NP技术分享成会场焦点
【概要描述】2024年12月11日-12月12日，备受瞩目的上海集成电路2024年度产业发展论坛暨（第三十届）中国集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo 2024）在上海世博展览馆成功举办。
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ICCAD-Expo 2024
2024年12月11日-12月12日，备受瞩目的上海集成电路2024年度产业发展论坛暨（第三十届）中国集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo 2024）在上海世博展览馆成功举办。本届展会以“智慧上海，芯动世界”为主题，汇集了6000余名行业精英，深入探讨集成电路产业面临的新趋势、新机遇与新挑战。
活动现场
展会期间，胜科纳米以其先进的检测分析平台吸引了大量行业观众的驻足参观与热烈交流。浦东新区区委常委、副区长吴强、中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军教授等领导及学者莅临胜科纳米展台参观，交流胜科纳米在半导体检测分析领域的最新发展和技术突破，特别是在先进制程覆盖能力上的领先地位，以及服务全球2000多家半导体企业的卓越能力，对胜科纳米在推动半导体科技创新与升级方面的贡献给予了充分肯定。
胜科纳米参展现场
胜科纳米技术专家演讲分享
在会议期间的“先进封装与测试（Ⅱ）”主题论坛上，胜科纳米技术专家分享了《纳米探针在芯片失效分析中的实战应用》的技术报告，详细介绍了纳米探针技术的原理及优势，引发了现场观众的热烈讨论和积极互动。
胜科纳米技术专家演讲分享
演讲中，技术专家通过案例展示了纳米探针技术在芯片失效分析中的应用，涵盖了从复杂多层封装结构中的失效点定位，到先进制程芯片中的微小缺陷检测，再到高性能计算芯片中的电路布局优化等多个方面，充分展示了胜科纳米在纳米探针技术方面的专业度和可靠性。
技术分享论坛现场
传统的故障定位和隔离方法，如光发射显微镜(PEM)和光束诱导电阻变化(OBIRCH)，在定位精确的缺陷区域和失效层方面存在局限性。对于硅芯片可测试设计(DFT)结构或电路中的短路和开路故障，只能依赖常规逐层去层处理和电子显微镜(SEM)检查来找出缺陷。失效分析没有其他方法来获取或测试金属层互连和晶体管的电气特性。
纳米探针作为一种高精度的故障诊断系统，能够精确定位和表征纳米级别的电性故障位置。该技术提供了探测单个晶体管和互连结构的手段，通过EBIC、EBAC、EBIRCH等多种故障定位方法，实现了精确、高分辨率的电子显微镜纳米探测，为良率提升提供了有效的测试故障分析与技术支持。
精彩的演讲和展示，充分展现了胜科纳米在分析检测技术领域的领先地位和创新能力，深入浅出的纳米探针技术分享为与会者带来新的失效分析及良率改善解决方案。今年正值ICCAD-Expo 30周年，胜科纳米不仅与业界同仁共同探讨了新形势下的产业发展、行业机遇和挑战，并积极展望未来，希望充分发挥自身的核心技术优势，为产业注入更强劲的支持与驱动力，并期待与合作伙伴携手，共建协作、共赢、繁荣的半导体行业生态。
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