技术介绍_胜科新闻_胜科纳米（苏州）股份有限公司

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主成分分析法在TOF-SIMS表面分析中的应用

此篇论文《主成分分析法在TOF-SIMS表面分析中的应用》发表于中国第九届全国表面分析科学与技术应用学术会议（2023年11月17日-20日在福建省福州西湖宾馆）。

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纳米荧光显微技术在半导体芯片和电子器件水汽入侵和微裂缝分析中的研究和应用

此篇论文《纳米荧光显微技术在半导体芯片和电子器件水汽入侵和微裂缝分析中的研究和应用》发表于中国第九届全国表面分析科学与技术应用学术会议（2023年11月17日-20日在福建省福州西湖宾馆）。

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电子束辐射导致的氮化硅降解及其对半导体失效分析的影响：原位透射电镜的研究

此篇研究文献《Electron-beam radiation induced degradation of silicon nitride and its impact to semiconductor failure analysis by TEM》发表于《AIP Advances》2018年第8卷，编号115327。文章重点探讨了电子辐射对硅基氮化物的物理结构和材料成分影响，以及电子辐射对半导体芯片失效分析的潜在影响。

11-23 

等离子刻蚀技术在高分辨率 SEM表征和失效分析中的应用

随着半导体制造技术的演进，基于电子束成像的电子显微分析技术因其高空间分辨率在材料表征和器件失效分析的领域扮演着越来越重要的角度。如业界周知的扫描电子显微镜（SEM）, 透射电子显微镜（TEM），以及基于SEM和TEM分析平台的各种微区分析技术。

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SCM扫描电容显微镜技术在半导体材料及失效分析中的应用

成功的 SCM 测试需要大量的知识、经验和技术诀窍，尤其是在SCM样品制备。

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胜科纳米分析中心 | ESD静电TLP传输线脉冲发生器介绍

TLP是一种利用传输线产生短脉冲来测试集成电路保护结构抗ESD能力的方法。为客户提供详细的实验数据过程，帮助客户了解晶圆或者封装样品的工艺、设计仿真与实际测试的区别、偏差，广泛应用于ESD保护电路的设计优化。