嘉宾介绍 | 钮应喜

分类：胜科新闻
作者：胜科纳米
来源：
发布时间：2023-02-13
访问量：0

【概要描述】“第五届纳博会分析测试应用论坛”以国际领先甚至独一无二的分析仪器为基础，依托科研人员独创性的分析方法与对仪器、产品、材料及工艺的深刻理解，为工业界解决实际生产过程中迫在眉睫或悬而未决的问题，进行技术和案例的分享与研讨。

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嘉宾介绍 | 钮应喜

分类：胜科新闻
作者：胜科纳米
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发布时间：2023-02-13
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半导体和新材料方面的检测处于检测分析行业金字塔的最顶端。针对国内半导体与新材料分析检测领域的现状与需求，胜科纳米（苏州）股份有限公司联合中国半导体行业协会MEMS分会、苏州纳米科技发展有限公司，于2018年第九届纳博会开始，同期举办“第一届纳博会分析测试应用研讨会”,截止目前已成功举办四届。“ 纳博会分析测试应用研讨会”得到了ThermoFisher、Bruker、牛津仪器、Leica、日立、Zeiss、Tescan、PHI、EDAX、 YXLON、Picosun等公司的大力支持，每年吸引了500余名纳米新材料与半导体领域的专业人士参会，现场反响热烈。现组委会召集举办“第五届纳博会分析测试应用论坛”，论坛以国际领先甚至独一无二的分析仪器为基础，依托科研人员独创性的分析方法与对仪器、产品、材料及工艺的深刻理解，为工业界解决实际生产过程中迫在眉睫或悬而未决的问题，进行技术和案例的分享与研讨。

嘉宾简介：

西安电子科技大学博士，中科院半导体博士后，教授级高级工程师，第六届CASA第三代半导体卓越创新青年；安徽“第三代半导体材料与器件”产业创新团队带头人；安徽省技术领军人才；芜湖市战略新兴产业优秀人才；国际IEC及SEMI化合物标准会委员；全国半导体器件、全国半导体材料标准委员会委员。从事碳化硅材料和器件研制和产业化；承担多项国家级、省级科研重大项目；申请国家专利100余项；编制多项国际、国家标准、行业标准以及团体标准。发表论文40余篇。

演讲题目: 碳化硅缺陷表征以及其对器件性能的影响

演讲摘要：当前碳化硅材料中还存在多种数量的缺陷（包括基矢面位错、螺位错、刃位错、层错、三角形缺陷、滴落物缺陷等）以及氧化层中的缺陷，造成碳化硅器件成品率低下和性能不稳定，甚至影响长期可靠性。在研究过程中，如何准确的表征缺陷，对缺陷控制工程来说至关重要。本报告主要介绍碳化硅中的主要缺陷和相关缺陷表征技术，并介绍缺陷对器件性能、可靠性的影响。

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