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胜科纳米将在IEEE第31届集成电路物理和失效分析国际研讨会上发表5篇学术论文
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胜科纳米将在IEEE第31届集成电路物理和失效分析国际研讨会上发表5篇学术论文

  • 分类：胜科新闻
  • 作者：胜科纳米
  • 来源：胜科纳米公众号
  • 发布时间：2024-04-03
  • 访问量：0

【概要描述】IEEE第31届集成电路物理和失效分析国际研讨会 (IPFA 2024) 将于2024 年 7 月 15日至18 日在新加坡金沙会展中心举行。IPFA (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits) 是全球有关半导体物理分析、失效分析及可靠性方面学术水平最高、规模最大、影响力最广的国际会议之一。

胜科纳米将在IEEE第31届集成电路物理和失效分析国际研讨会上发表5篇学术论文

【概要描述】IEEE第31届集成电路物理和失效分析国际研讨会 (IPFA 2024) 将于2024 年 7 月 15日至18 日在新加坡金沙会展中心举行。IPFA (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits) 是全球有关半导体物理分析、失效分析及可靠性方面学术水平最高、规模最大、影响力最广的国际会议之一。

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  • 作者：胜科纳米
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IEEE第31届集成电路物理和失效分析国际研讨会 (IPFA 2024) 将于2024 年 7 月 15日至18 日在新加坡金沙会展中心举行。IPFA (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits) 是全球有关半导体物理分析、失效分析及可靠性方面学术水平最高、规模最大、影响力最广的国际会议之一。

IPFA2024研讨会将涉及到半导体集成电路芯片的物理材料分析、失效分析和可靠性测试等先进技术。同时，这次盛会也安排了几十家参展商，展现这些行业领先公司的最新技术和分析仪器，让与会代表们接触到失效分析和可靠性分析领域的前沿技术和产品。

胜科纳米从事半导体集成电路芯片第三方检测分析服务，致力于打造专业高效的一站式检测分析平台，深入研究各种失效分析和可靠性分析方法和技术，多年来持续参与IEEE IPFA国际研讨会并每年发表学术研究和应用论文。

 

胜科纳米（苏州）股份有限公司在苏州中新工业园的公司总部大楼

 

在本届IPFA 2024盛会上，胜科纳米有5篇学术论文被录用，将在研讨会上做口头演讲或墙展报告：

1、飞行时间二次离子质谱离子彩色映射成像技术在 IC 铝合金表征和晶圆清洗工艺制程优化中的应用（华佑南博士等）；

2、纳米荧光方法探测功率放大管水汽入侵位置（廖金枝博士等，本论文与博通联合发表）；

3、FCBGA封装分层失效分析（赵弇斐博士等）；

4、栅氧化层击穿电压漂移失效的飞行时间二次离子质谱分析方法（朱雷博士等，本论文与华润上华联合发表）；

5、飞行时间二次离子质谱与X-射线光电子能谱在材料分析与表征中的联合应用（华佑南博士等）。

 

胜科纳米将派代表参加本次盛会，会议期间将和来自世界各地的嘉宾、专家和客户们做了深入的学术讨论和交流。

 

 

1.     Younan Hua, Lei Zhu, Lois Liao, Xiaomin Li, Applications of TOF-SIMS Ion Color Mapping Technology in Characterization of IC Al Alloys and Wafer Fabrication Cleaning Process Optimization.

2.     Ewe Chhong Tan, Lois Liao, Power Amplifier Die Moisture Ingress Point Detection Using Nano-Fluorescent Dye Penetration Method.

3.     Yanfei Zhao, Tuanqiao Hu, Zhiyuan Wang, Lingling Teo, Lei Zhu, Xiaomin Li, Delamination Failure Analysis on FCBGA package with heat spreader.

4.     Lei Zhu, Lingling Teo, Yanfei Zhao, Henry Leong, Penny Long, Younan Hua, Xiaomin li, Hao Zhou and Qian Chen, TOF-SIMS Analytical Method for Gate Oxide Breakdown Voltage Shift Failure.

5.     Younan Hua, Lei Zhu, Lois Liao, Xiaomin Li, Studies and Joint Application of TOF-SIMS and XPS in Material Analysis and Characterization.

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